無(wú)線充電芯片的演進(jìn)路徑

無(wú)線充電芯片的演進(jìn)路徑有三種，接下來(lái)就讓小編給大家講解講解。

20年前，電源IC設(shè)計(jì)基本由三顆芯片構(gòu)成，分別是控制芯片、驅(qū)動(dòng)芯片、MOS芯片，當(dāng)時(shí)由于工藝、設(shè)計(jì)以及數(shù)字與模擬的限制，這三顆芯片很難集成在一顆芯片里。這與今天無(wú)線充電芯片的設(shè)計(jì)極其相似。目前無(wú)線充電發(fā)射端芯片也基本是由三顆芯片構(gòu)成，分別是驅(qū)動(dòng)芯片、MOS芯片和主控芯片，這正是功率集成的第一代無(wú)線充電芯片。王新濤表示，隨著半導(dǎo)體工藝和芯片設(shè)計(jì)的不斷演進(jìn)，可以把控制和驅(qū)動(dòng)芯片集成在一起，同時(shí)將數(shù)字和模擬集成在同一個(gè)工藝節(jié)點(diǎn)上進(jìn)行設(shè)計(jì)，這就形成了第二代無(wú)線充電芯片。這其實(shí)是10年前，TI在電源芯片上做出的創(chuàng)新。TI將驅(qū)動(dòng)芯片和MOS芯片整合在同一顆芯片里面，整個(gè)效能在當(dāng)時(shí)的電源IC中可以做到最好，這個(gè)架構(gòu)現(xiàn)在在CPU的設(shè)計(jì)中也被廣泛使用。“現(xiàn)在第三代電源芯片就是要進(jìn)行數(shù)字和模擬整合，再加之功率整合。”王新濤表示，這樣的技術(shù)在電源芯片中已經(jīng)開(kāi)始出現(xiàn)，無(wú)線充電芯片設(shè)計(jì)演進(jìn)的路線也將是如此。不過(guò)，目前，發(fā)射端無(wú)線充電芯片多數(shù)還是以第一代為主，發(fā)展路徑還會(huì)很長(zhǎng)。

推出第二代無(wú)線充電芯片，可以看到，電源IC或無(wú)線充電IC的演進(jìn)路線都是不斷集成的過(guò)程。那為什么要不斷做集成？這是因?yàn)榧梢馕吨到y(tǒng)效率會(huì)不斷提升，成本會(huì)不斷下降，這跟CPU的集成路線是一樣的。王新濤表示，無(wú)線充電現(xiàn)在還處于發(fā)展初步階段，我們看到有不少芯片廠商已經(jīng)在做第二代芯片，將控制和驅(qū)動(dòng)芯片集成在一起，伏達(dá)正是其中之一。目前，伏達(dá)半導(dǎo)體推出了新一代智能全橋™芯片，該芯片集成了全橋MOS和Driver，做到MOS和Driver完全匹配，提高了效率，可以輕松有效地解決EMI問(wèn)題。據(jù)悉，伏達(dá)正在大量出貨的是第一代方案Gen1(5W以及針對(duì)三星10W和蘋(píng)果7.5W的方案)，第二代Gen2方案還在樣片階段，與Gen，相比，Gen2的BoM可削減30%；在功率上，Gen2最高可做到20W，相比第一代提升了數(shù)倍。“Gen 2方案中SoC控制器的存儲(chǔ)提高了一倍，時(shí)鐘提高到了48M。”Gen2方案采用了主控芯片+智能全橋的架構(gòu)，除了將控制和驅(qū)動(dòng)芯片集成在一起外，同時(shí)還集成了Q值檢測(cè)、數(shù)字解調(diào)、DC-DC、以及完全無(wú)損的電流采樣，性能穩(wěn)定，方案簡(jiǎn)潔。 王新濤表示，無(wú)線充電芯片尚處于發(fā)展初期，前面的路還很長(zhǎng)，包括技術(shù)創(chuàng)新，產(chǎn)品開(kāi)發(fā)的跑道仍然非常寬廣。而對(duì)于伏達(dá)來(lái)說(shuō)，能夠如此迅速地推出第二代無(wú)線充電芯片與TI不無(wú)關(guān)系

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